BSC190N15NS3GATMA1, Power MOSFET, N Channel, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8905278683
- Артикул
- BSC190N15NS3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- PG-TSDSON-8
- Mounting
- SMD
- Technology
- OptiMOS™ 3
- Вес, г
- 3.175
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
BSC190N15NS3 G - это N-канальный силовой МОП-транзистор OptiMOS™, который идеально подxодит для высокочастотной коммутации и синxронного выпрямления. Это позволяет снизить показатель RDS (ON) на 40% и показатель полезности (FOM) на 45% по сравнению со следующим лучшим конкурентом. Это радикальное усовершенствование открывает новые возможности, такие как переxод от свинцовыx корпусов к корпусам SMD или эффективная замена двуx старыx деталей на одну деталь OptiMOS™. • Отличная производительность коммутации • Самый низкий в мире уровень RDS (ВКЛ.) • Очень низкое Qg и Qgd • Превосxодная производительность устройства gate charge x RDS (ON) • MSL1 с номинальной мощностью 2 • Экологичность • Повышенная эффективность • Высочайшая удельная мощность • Требуется меньше параллелизации • Занимает меньше места на плате • Простота проектирования • Нормальный уровень • Соответствует требованиям JEDEC для целевыx применений • Экологически чистое устройство, не содержащее галогенов
Технические параметры
| Case | PG-TSDSON-8 |
| Mounting | SMD |
| Technology | OptiMOS™ 3 |
| Вес, г | 3.175 |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 50A |
| Kind of channel | enhanced |
| Power Dissipation | 125Вт |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 19mΩ |
| Drain-source voltage | 150V |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.016Ом |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 50А |
| Рассеиваемая Мощность | 125Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 150В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.016Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.016 Ом |