Моя заявка (0)

BSC16DN25NS3GATMA1, Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R

BSC16DN25NS3GATMA1, Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TDSON EP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001293839
Артикул
BSC16DN25NS3GATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
8
Вес, г
1
Channel Type
N
Package Type
PG-TDSON-8
Цена по запросу
(от 270 ₽)
Минимальный заказ: 120 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, N-канальный, 250 В, 10,9 А, TDSON-8; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 10,9 А; Напряжение источника стока Vds: 250 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,146 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:3В;

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г1
Channel TypeN
Package TypePG-TDSON-8
Mounting TypeThrough Hole
RoHS CompliantYes
СтруктураN-Channel
Особенности-
Maximum Power Dissipation62.5 W
Maximum Gate Emitter Voltage±20V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А10.9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация