Моя заявка (0)
BSC160N15NS5ATMA1, MOSFET транзистор PG-TDSON-8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070062318
Артикул
BSC160N15NS5ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
RoHS
Details
Brand
Infineon Technologies
Width
5.15 mm
Height
1.27 mm
Цена по запросу
(от 253,25 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Этот МОП-транзистор Infineon OptiMOS обладает ультрасовременным режимом R DS (on) траншейного МОП-транзистора в сочетании с широкой безопасной рабочей зоной классического плоского МОП-транзистора.

Технические параметры

RoHSDetails
BrandInfineon Technologies
Width5.15 mm
Height1.27 mm
Length5.9 mm
SeriesOptiMOS 5
Fall Time2.6 ns
PackagingReel
Pin Count8
Rise Time3 ns
TradenameOptiMOS
TechnologySi
Вес, г0.14
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ManufacturerInfineon
Package TypeSuperSO8 5x6
Configuration1 N-Channel
Mounting TypeSurface Mount
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseTDSON-8
Part # AliasesBSC160N15NS5 SP001181422
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge23.1 nC
Power Dissipation96Вт
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Factory Pack Quantity5000
Pd - Power Dissipation96 W
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Typical Turn-On Delay Time9.6 ns
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-Off Delay Time10.8 ns
Maximum Drain Source Voltage150 V
Id - Continuous Drain Current56 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Forward Transconductance - Min20 S
Maximum Gate Threshold Voltage4.6V
Maximum Drain Source Resistance0.016 Ω
Drain Source On State Resistance0.0137Ом
Maximum Continuous Drain Current56 A
Rds On - Drain-Source Resistance13.7 mOhms
Линейка ПродукцииOptiMOS 5
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage150 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage3 V
Непрерывный Ток Стока56А
Рассеиваемая Мощность96Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3.8В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds150В
Стиль Корпуса ТранзистораTDSON
Максимальная Рабочая Температура150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0137Ом

Техническая документация