OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET, 56 A, 150 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC160N15NS5ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014552995
- Артикул
- BSC160N15NS5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- Width
- 5.15 mm
- Height
- 1.27 mm
Цена по запросу
(от 310 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот МОП-транзистор Infineon OptiMOS обладает ультрасовременным режимом R DS (on) траншейного МОП-транзистора в сочетании с широкой безопасной рабочей зоной классического плоского МОП-транзистора.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| Width | 5.15 mm |
| Height | 1.27 mm |
| Length | 5.9 mm |
| Series | OptiMOS 5 |
| Fall Time | 2.6 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 8 |
| Rise Time | 3 ns |
| Tradename | OptiMOS |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TDSON-8 |
| Part # Aliases | BSC160N15NS5 SP001181422 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 23.1 nC |
| Power Dissipation | 96Вт |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 5000 |
| Pd - Power Dissipation | 96 W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 9.6 ns |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 10.8 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Id - Continuous Drain Current | 56 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 20 S |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.6V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.016 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.0137Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 56 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 13.7 mOhms |
| Линейка Продукции | OptiMOS 5 |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Непрерывный Ток Стока | 56А |
| Рассеиваемая Мощность | 96Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.8В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 150В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.6V@60uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0137Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 56 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 96 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 16В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 16mΩ@28A, 10V |