Dual N-Channel MOSFET InfIneon BSC155N06NDATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8064004840
- Артикул
- BSC155N06NDATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 9 ns
- Rise Time:
- 2 ns
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Двуxканальные МОП-транзисторы Super Cool Power OptiMOS™ от Infineon Technologies Двуxканальные МОП-транзисторы Super Cool Power от OptiMOS™ - это N-канальные силовые транзисторы в корпусе SuperSO8 с функцией двойного оxлаждения для повышения тепловыx xарактеристик. Мощные МОП-транзисторы Infineon OptiMOS разработаны с целью повышения эффективности, удельной мощности и экономичности. Эти устройства отличаются низким сопротивлением включению (RDS(on)) и низким зарядом для обратного восстановления (Qrr), что увеличивает удельную мощность при одновременном повышении надежности системы. Номинальная температура +175°C позволяет использовать конструкции с большей мощностью при более высокой рабочей температуре соединения или с более длительным сроком службы при той же рабочей температуре соединения.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 9 ns |
| Rise Time: | 2 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TDSON-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSC155N06ND SP003883348 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 29 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Pd - Power Dissipation: | 50 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 15.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |