OptiMOS 5 Type N-Channel Power MOSFET, 55 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 BSC152N15LS5ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8056742235
- Артикул
- BSC152N15LS5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 2.2 ns
- Rise Time:
- 1.2 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 400,56 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 2.2 ns |
| Rise Time: | 1.2 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | SuperSO-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSC152N15LS5ATMA1 SP005825839 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 23 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Pd - Power Dissipation: | 96 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14.8 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 55 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 49 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 55 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |