Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET Transistor, 44 A, 100 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC146N10LS5ATMA1

N-Channel MOSFET Transistor, 44 A, 100 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC146N10LS5ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014772879
Артикул
BSC146N10LS5ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
3 ns
Rise Time:
3 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 220,31 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:3 ns
Rise Time:3 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN Channel
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:TDSON-8
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:BSC146N10LS5 SP001385464
Transistor Type:1 N-Channel
Power Dissipation52Вт
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:7.6 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:52 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:14 ns
Id - Continuous Drain Current:44 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:19 S
Drain Source On State Resistance0.0122Ом
Rds On - Drain-Source Resistance:15.8 mOhms
Линейка ПродукцииOptiMOS 5
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.7 V
Непрерывный Ток Стока44А
Рассеиваемая Мощность52Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs1.7В
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds100В
Стиль Корпуса ТранзистораTDSON
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0122Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А44
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт52
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0122 Ом

Техническая документация