OptiMOS™ Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 16 A, 300 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC13DN30NSFDATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8023564409
- Артикул
- BSC13DN30NSFDATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS
- Series:
- OptiMOS Fast Diode
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 450 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Быстродействующий диод Infineon OptiMOS (FD) 200V, 250V и 300V оптимизирован для жесткой коммутации корпусныx диодов.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS |
| Series: | OptiMOS Fast Diode |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TDSON-8 |
| Part # Aliases: | BSC13DN30NSFD SP000854374 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 30 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 300 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 16 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 19 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.13 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 16 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 114 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 300 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 300 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |