BSC12DN20NS3GATMA1,Power MOSFET, N Channel, 200 V, 11.3 A, 0.108 ohm, TDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8406144152
- Артикул
- BSC12DN20NS3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 0.5
Цена по запросу
(от 281 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 200 В 11,3 А (Tc) 50 Вт (Tc) для поверxностного монтажа PG-TDSON-8-5
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.5 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 25µA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 5.7A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 50W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-5 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 680 pF @ 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.3A(Tc) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.108 Ом |