BSC123N08NS3G, Транзистор: MOSFET; N-канал; 80В; 55A; PG-TDSON-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026989900
- Артикул
- BSC123N08NS3G
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 6.1mm
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS 3
- Вид
- N-MOSFET
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Диод выпрямительный PG-TDSON-8
Технические параметры
| Width | 6.1mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 |
| Вид | N-MOSFET |
| Тип | полевой |
| Series: | OptiMOS 3 |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 18 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 0.17 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TDSON |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | PG-TDSON-8 |
| Монтаж | SMD |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TDSON-8 |
| Part # Aliases: | BSC123N8NS3GXT SP000443916 BSC123N08NS3GATMA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 25 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Ток стока, А | 55 |
| Мощность, Вт | 66 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 66 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 66 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 55 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 22 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 24 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 55 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Напряжение сток-исток, В | 80 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0123 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 55 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 66 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |