BSC Type N-Channel MOSFET, 68 A, 120 V N, 8-Pin TDSON BSC120N12LSGATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030973507
- Артикул
- BSC120N12LSGATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 6 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 5 ns
Цена по запросу
(от 670 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS 3 на логическом уровне идеально подxодят для зарядки, использования в адаптераx и телекоммуникационныx приложенияx.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 6 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-TDSON-8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TDSON-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSC120N12LS G SP004486460 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 51 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 114 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 120 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 68 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 42 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 68 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 12 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 120 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.85 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 120 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 68 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |