Моя заявка (0)

BSC117N08NS5ATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 80В, 49А, 50Вт, PG-TDSON-8

BSC117N08NS5ATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 80В, 49А, 50Вт, PG-TDSON-8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062107161
Артикул
BSC117N08NS5ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
19 nC
V(DS)
80 V
Brand:
Infineon Technologies
P(tot)
50 W
Цена по запросу
(от 76 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор МОП n-канальный, полевой, 80В, 49А, 50Вт, PG-TDSON-8

Технические параметры

Q(g)19 nC
V(DS)80 V
Brand:Infineon Technologies
P(tot)50 W
SeriesOptiMOS 5
PackageSuperSO8
R(thJC)1.5 K/W
Series:OptiMOS 5
MountingSMD
PackagingREEL
Pin Count8
AutomotiveAEC-Q(100)
Fall Time:3 ns
Rise Time:4 ns
TechnologyOptiMOS
Tradename:OptiMOS
Вес, г0.14
RoHS StatusRoHS-conform
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeSuperSO8 5x6
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
ConfigurationN-CH
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
RDS(on)at 10V11.7 mOhm
Configuration:Single
Fast bodydiodeNO
I(D)at Tc=25°C49 A
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TDSON-8
Part # Aliases:BSC117N08NS5 SP001295028
Development Kit:EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:15 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:50 W
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:10 ns
Maximum Drain Source Voltage80 V
Typical Turn-Off Delay Time:16 ns
Id - Continuous Drain Current:49 A
Maximum Gate Threshold Voltage3.8V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:19 S
Maximum Drain Source Resistance0.0117 Ω
Maximum Continuous Drain Current49 A
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000

Техническая документация