N-Channel MOSFET, 57 A, 60 V PG-TDSON-8 BSC112N06LDATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030973506
- Артикул
- BSC112N06LDATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- BSC112N06
- Fall Time:
- 7 ns
- Rise Time:
- 3 ns
Цена по запросу
(от 392,42 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощный МОП-транзистор Infineon OptiMOS 60V имеет двойной корпус super SO8, обеспечивающий высокую плотность мощности. Он обладает высокой устойчивостью к прострелам благодаря Qgd/Qgs<0.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | BSC112N06 |
| Fall Time: | 7 ns |
| Rise Time: | 3 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-TDSON-8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TDSON-8 |
| Part # Aliases: | BSC112N06LD SP002594372 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 55 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 65 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 51 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 57 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 11.2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 57 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 65 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 11.2 mOhms |