Моя заявка (0)

BSC110N15NS5ATMA1, Транзисторы и сборки MOSFET PGTDSON8

BSC110N15NS5ATMA1, Транзисторы и сборки MOSFET PGTDSON8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062068011
Артикул
BSC110N15NS5ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Military
No
Pin Count
8
Automotive
No
Вес, г
0.5
Цена по запросу
(от 270 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

BSC110N15NS5, SP001181418 • Силовой транзистор Optima™ 5 напряжением 150 В • N-канальный, нормальный уровень • Отличный заряд затвора x устройство RDS(on) (FOM) • RDS с очень низким сопротивлением включению (on) • Соответствует требованиям стандарта JEDEC для целевыx применений • Идеально подxодит для высокочастотной коммутации и синxронного выпрямления

Технические параметры

MilitaryNo
Pin Count8
AutomotiveNo
Вес, г0.5
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Supplier PackageTDSON EP
Power Dissipation125Вт
Process TechnologyOptiMOS???5
Number of Elements per Chip1
Operating Temperature - (??C)-55~150
Drain Source On State Resistance0.009Ом
Maximum Power Dissipation - (mW)125000
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)28
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)28@10V
Maximum Gate Source Voltage - (V)20
Линейка ПродукцииOptiMOS 5
Maximum Drain Source Voltage - (V)150
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)4.6
Maximum Continuous Drain Current - (A)76
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)2080@75V
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)11@10V
Непрерывный Ток Стока76А
Рассеиваемая Мощность125Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3.8В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds150В
Стиль Корпуса ТранзистораTDSON
Максимальная Рабочая Температура150 C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.009Ом

Техническая документация