BSC109N10NS3GATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В, 63А, 78Вт, PG-TDSON-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066654856
- Артикул
- BSC109N10NS3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- MSL
- MSL 1-Unlimited
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
• Силовой транзистор OptiMOS™3 • Очень низкий уровень заряда затвора для высокочастотныx применений • Оптимизирован для преобразования постоянного тока в постоянный • N-канальный, нормальный уровень • Отличный уровень заряда затвора x RDS (при включении) • Очень низкое сопротивление RDS (при включении) • Квалифицирован в соответствии с JEDEC для целевыx применений
Технические параметры
| MSL | MSL 1-Unlimited |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.23 |
| No. of Pins | 8Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Power Dissipation | 78W |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 45µA |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Transistor Case Style | TDSON |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.9mOhm @ 46A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 78W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 |
| Drain Source Voltage Vds | 100V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Continuous Drain Current Id | 63A |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drain Source On State Resistance | 0.0098ohm |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 2.7V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500 pF @ 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 63A(Tc) |