Моя заявка (0)

BSC105N15LS5ATMA1,Power MOSFET, N Channel, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, Surface Mount

BSC105N15LS5ATMA1,Power MOSFET, N Channel, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046467884
Артикул
BSC105N15LS5ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
0.074
Цена по запросу
(от 603 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 150 В 10,7 А (Ta), 76 А (Tc), 2,5 Вт (Ta), 125 Вт (Tc) для поверxностного монтажа PG-TDSON-8

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.074
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 91µA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs10.5mOhm @ 40A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)2.5W(Ta), 125W(Tc)
Supplier Device PackagePG-TDSON-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3000 pF @ 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.7A(Ta), 76A(Tc)
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0105 Ом

Техническая документация