BSC098N10NS5ATMA1,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 60 A, 0.0082 ohm, TDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8854241431
- Артикул
- BSC098N10NS5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- OptiMOSTM5
- FET Type
- N-Channel
- Pin Count
- 8
- Vgs (Max)
- ±20V
Цена по запросу
(от 278 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Конструкция MOSFET-транзисторов Infineon, также известныx как MOSFET-транзисторы, расшифровывается как "Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы’.
Технические параметры
| Series | OptiMOSTM5 |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 8 |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.156 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 36µA |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.8mOhm @ 30A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 69W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-7 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.8V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0098 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 60 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.8V@36uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 69 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 9.8mΩ@30A, 10V |