Моя заявка (0)

BSC098N10NS5, 100V 60A 9.8mOhm@10V,30A 2.5W 3.8V@36uA N Channel TDSON-8(6x5) MOSFETs

BSC098N10NS5, 100V 60A 9.8mOhm@10V,30A 2.5W 3.8V@36uA N Channel TDSON-8(6x5) MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017631871
Артикул
BSC098N10NS5
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Type
1PCSNChannel
Brand:
Infineon Technologies
Series:
OptiMOS 5
Fall Time:
4 ns
Цена по запросу
(от 111,36 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Решения для управления двигателями промышленной робототеxники Infineon Industrial Robotics Motor Control - это полупроводниковые решения для расширения возможностей управления промышленными двигателями. К таким решениям относятся низковольтные силовые МОП-транзисторы, драйверы EiceDRIVER™ gate и микроконтроллеры XMC4800. Низковольтные силовые МОП-транзисторы серии OptiMOS™ 5 80 В и 100 В обеспечивают низкое сопротивление при включении. Сочетание EiceDRIVER 2EDL и 6EDL от Infineon позволяет достичь высокой удельной мощности и эффективности в системаx управления двигателями. Используйте микроконтроллер XMC4800 в качестве основы управления двигателем для обеспечения превосxодного управления двигателем и связи в режиме реального времени через EtherCAT®.

Технические параметры

Type1PCSNChannel
Brand:Infineon Technologies
Series:OptiMOS 5
Fall Time:4 ns
Rise Time:5 ns
Tradename:OptiMOS
Вес, г3
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TDSON-8
Part # Aliases:SP001241598 BSC098N10NS5ATMA1
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:22 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Power Dissipation (Pd)2.5W
Особенности-
Pd - Power Dissipation:69 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:10 ns
Typical Turn-Off Delay Time:17 ns
Continuous Drain Current (Id)60A
Id - Continuous Drain Current:60 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:28 S
Rds On - Drain-Source Resistance:9.8 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000
Пороговое напряжение на затворе3.8V@36uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)9.8mΩ@10V, 30A

Техническая документация