Моя заявка (0)

BSC096N10LS5ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 40 A, 0.008 ohm, TDSON, Surface Mount

BSC096N10LS5ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 40 A, 0.008 ohm, TDSON, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003078141
Артикул
BSC096N10LS5ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
8
Вес, г
0.17
Channel Type
N Channel
Package Type
TDSON
Цена по запросу
(от 344 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой транзистор Infineon OptiMOS 5 представляет собой N-канальный МОП-транзистор, который идеально подxодит для высокочастотной коммутации.

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г0.17
Channel TypeN Channel
Package TypeTDSON
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation83Вт
СтруктураN-Channel
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage100 V
Drain Source On State Resistance0.008Ом
Maximum Continuous Drain Current72 A
Линейка ПродукцииOptiMOS 5
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока40А
Рассеиваемая Мощность83Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs1.7В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds100В
Стиль Корпуса ТранзистораTDSON
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.008Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.008 Ом

Техническая документация