BSC093N15NS5ATMA1, MOSFET транзистор PG-TDSON-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070068634
- Артикул
- BSC093N15NS5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS 5
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 356,64 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
SP004308580, EVAL_3K3W_BIDI_PSFB • Оценочная плата с полным мостом двунаправленного фазового сдвига мощностью 3300 Вт 54 В (PSFB) • Суперпереxодный МОП-транзистор CoolMOS™ CFD7 напряжением 600 В в корпусе ThinPAK • КПД платы составляет 98% в режиме понижения и 97% в режиме повышения • Удельная мощность составляет 4,34 Вт/см3 (71,19 Вт/дюйм3) • PSFB с цифровым управлением • Новая концепция интегрированного магнитного поля • Новая концепция оxлаждения SMD
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 |
| FET Type | N-Channel |
| Kit Name | EVAL_3K3W_BIDI_PSFB |
| Pin Count | 8 |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 3.8 ns |
| Rise Time: | 4.3 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.23 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| For Use With | Industrial, Power Supplies |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | WSON-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSC093N15NS5SC SP005560939 |
| Power Dissipation | 139Вт |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 33 nC |
| Kit Classification | Evaluation Board |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.6V @ 107µA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Power Dissipation (Pd) | 160W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3mOhm @ 44A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 167 W |
| Power Dissipation (Max) | 139W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-7 |
| Power Management Function | DC-DC Converter |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40.7 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14.4 ns |
| Номер Ядра Чипа | IPL60R075CFD7 |
| Continuous Drain Current (Id) | 80A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 89 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.6V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 67 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0093 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.0079Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 87 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 9.3 mOhms |
| Линейка Продукции | OptiMOS 5 |
| Подтип Приложения | Двунаправленный DC-DC преобразователь |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Производитель Чипа | Infineon |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3230 pF @ 75 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 87A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Содержимое Комплекта | Eval Board IPL60R075CFD7 |
| Непрерывный Ток Стока | 87А |
| Тип Приложения Набора | Управление Питанием |
| Рассеиваемая Мощность | 139Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.8В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 150В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0079Ом |