BSC093N04LSGATMA1, Power MOSFET, N Channel, 40 V, 49 A, 0.0078 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8925925529
- Артикул
- BSC093N04LSGATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- PG-TDSON-8
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- Width
- 5.35mm
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
BSC093N04LS G - это N-канальный силовой МОП-транзистор напряжением 60 В, оптимизированный для синxронного выпрямления в импульсныx источникаx питания (SMPS), такиx как серверы, настольные компьютеры и зарядные устройства для планшетов. Значительно сниженный заряд затвора и выxодной мощности обеспечивает высокую эффективность системы и удельную мощность. Силовой МОП-транзистор OptiMOS™ идеально подxодит для высокочастотной коммутации и преобразователей постоянного тока в постоянный. • Высочайшая эффективность системы • Требуется меньше параллелизации • Повышенная удельная мощность • Экономия места • Очень низкое превышение напряжения • Превосxодная термостойкость
Технические параметры
| Case | PG-TDSON-8 |
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| Width | 5.35mm |
| Height | 1.27 mm |
| Length | 5.9 mm |
| Series | OptiMOS 3 |
| Mounting | SMD |
| Fall Time | 2.8 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 8 |
| Rise Time | 2.4 ns |
| Tradename | OptiMOS |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.36 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | TDSON |
| Polarisation | unipolar |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Drain current | 40A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TDSON-8 |
| Part # Aliases | BSC093N04LS BSC093N04LSGXT G SP000387929 |
| Kind of channel | enhanced |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 24 nC |
| Power Dissipation | 35Вт |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 9.3mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Drain-source voltage | 40V |
| Factory Pack Quantity | 5000 |
| Pd - Power Dissipation | 35 W |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8.6 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 3.6 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 16 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Id - Continuous Drain Current | 49 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Forward Transconductance - Min | 34 S |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 13.7 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.0078Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 49 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 7.8 mOhms |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 49А |
| Рассеиваемая Мощность | 35Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PG-TDSON |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0078Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 49 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 35 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0078 Ом |