Моя заявка (0)

BSC0924NDIATMA1, Транзистор N-МОП, полевой, 30В, 40А, 2,5Вт, PG-TISON-8

BSC0924NDIATMA1, Транзистор N-МОП, полевой, 30В, 40А, 2,5Вт, PG-TISON-8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048653160
Артикул
BSC0924NDIATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Military
No
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
8
Automotive
No
Цена по запросу
(от 68 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, ДВОЙНОЙ N-КАНАЛЬНЫЙ, 30 В, 40 А, TISON; Полярность транзистора: Двуxканальный N-канальный; Постоянный ток стока Id: 40 А; Напряжение источника стока Vds: 30 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,0038 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs: 10 В; Пороговое напряжение Vgs: 2 В; Рассеиваемая мощность Pd: 2,5 Вт; Тип корпуса транзистора:TISON; Количество контактов: 8; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: Серия OptiMOS; Автомобильный квалификационный стандарт: -; MSL: MSL 1 - неограниченный; SVHC: Без SVHC (27 июня 2018 г.)

Технические параметры

MilitaryNo
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Вес, г0.5
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSuperSO8 5x6
Mounting TypeSurface Mount
Supplier PackageTISON EP
Process TechnologyOptiMOS
Standard Package NameSON
Number of Elements per Chip2
Maximum Drain Source Voltage30 V
Operating Temperature - (??C)-55~150
Maximum Continuous Drain Current40 A
Maximum Power Dissipation - (mW)2500
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)6.7@4.5V@Q1I8.5@4.5V@Q2
Maximum Gate Source Voltage - (V)??20
Maximum Drain Source Voltage - (V)30
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)2
Maximum Continuous Drain Current - (A)17@Q 1I32@Q 2
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)870@15V@Q 1I1100@15V@Q 2
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)5@10V@Q 1I3.7@10V@Q 2

Техническая документация