Dual N-Channel MOSFET + Diode, 40 A, 30 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC0924NDIATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014774201
- Артикул
- BSC0924NDIATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Military
- No
- Packaging
- Tape and Reel
- Pin Count
- 8
- Automotive
- No
Цена по запросу
(от 234,08 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon оснащен МОП-транзистором OptiMOS power MOSFET, встроенным монолитным диодом Шоттки и оптимизированным для высокопроизводительного понижающего преобразователя.
Технические параметры
| Military | No |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Package | TISON EP |
| Process Technology | OptiMOS |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | SON |
| Особенности | полевая сборка |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Maximum Continuous Drain Current | 40 A |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2500 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 6.7@4.5V@Q1I8.5@4.5V@Q2 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 2 |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 17@Q 1I32@Q 2 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 870@15V@Q 1I1100@15V@Q 2 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 5@10V@Q 1I3.7@10V@Q 2 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0038 Ом |