BSC0923NDI, MOSFETs N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018681126
- Артикул
- BSC0923NDI
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- 2 N-Channel
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 3 ns, 2.6 ns
- Rise Time:
- 3.8 ns, 3.6 ns
Цена по запросу
(от 162,69 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы TISON-8-EP(6x5) соответствуют требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | 2 N-Channel |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 3 ns, 2.6 ns |
| Rise Time: | 3.8 ns, 3.6 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TISON-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SP000934758 BSC923NDIXT BSC0923NDIATMA1 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 10 nC, 18.4 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Power Dissipation (Pd) | 1W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 10nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.7 ns, 4.1 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.16nF@15V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 17 ns, 19 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 17A;32A |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 32 S, 43 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.8 mOhms, 2.1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |