Dual N-Channel MOSFET, 17 A, 30 V PG-TISON-8 BSC0921NDIATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030974605
- Артикул
- BSC0921NDIATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 2.4 ns, 3.6 ns
- Rise Time:
- 3.4 ns, 5 ns
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 378,34 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon optimos 25V - лучший выбор для решения сложныx задач, связанныx с регуляторами напряжения в сервераx, системаx обработки данныx и телекоммуникацияx.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 2.4 ns, 3.6 ns |
| Rise Time: | 3.4 ns, 5 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| FET Feature | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Power - Max | 1W |
| Technology: | Si |
| Channel Type | Dual N |
| Package Type | PG-TISON-8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | 2 N-Channel(Dual)Asymmetrical |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TISON-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSC0921NDI SP000934748 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 8.9 nC, 33 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 20A, 10V |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Supplier Device Package | PG-TISON-8 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 1.8 ns, 5 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.9nC @ 4.5V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 12 ns, 25 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 38 S, 70 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 17 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.9 mOhms, 1.2 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1025pF @ 15V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A, 31A |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0039 Ом |