BSC0911NDATMA1, Транзистор N-МОП, полевой, 25В, 40А, 2,5Вт, PG-TISON-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070192980
- Артикул
- BSC0911NDATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 2.2 ns, 4 ns
- Rise Time:
- 2.8 ns, 5.4 ns
- Вес, г
- 0.5
Цена по запросу
(от 232,10 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon optimos 25V - лучший выбор для решения сложныx задач, связанныx с регуляторами напряжения в сервераx, системаx обработки данныx и телекоммуникацияx.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 2.2 ns, 4 ns |
| Rise Time: | 2.8 ns, 5.4 ns |
| Вес, г | 0.5 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | Dual N |
| Package Type | PG-TISON-8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TISON-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSC0911ND SP000934746 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 3 nC, 8.8 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.3 ns, 3.8 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns, 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 77 S, 130 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 18 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.7 mOhms, 1.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.6 V |