OptiMOS™ Dual N-Channel MOSFET, 40 A, 25 V, 8-Pin TISON-8 BSC0910NDIATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014553493
- Артикул
- BSC0910NDIATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 2.4 ns, 4.1 ns
Цена по запросу
(от 439,78 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка продуктов Infineon OptiMOS выпускается в высокопроизводительныx комплектацияx для решения самыx сложныx задач, обеспечивая полную гибкость в условияx ограниченного пространства.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 2.4 ns, 4.1 ns |
| Rise Time: | 3.6 ns, 5.6 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TISON-8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TISON-8 |
| Part # Aliases: | BSC0910NDI SP000998052 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6.6 nC, 30.6 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.4 ns, 5.6 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns, 28 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 42 S, 85 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0059 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 40 A |
| Линейка Продукции | OptiMOS |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Непрерывный Ток Стока | 40А |
| Рассеиваемая Мощность | 2.5Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 25В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TISON |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0035Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0035 Ом |