Моя заявка (0)
BSC090N03LSGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001328794
Артикул
BSC090N03LSGATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series:
OptiMOS 3
Fall Time:
2.4 ns
Rise Time:
2.6 ns
Цена по запросу
(от 75 ₽)
Минимальный заказ: 410 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Series:OptiMOS 3
Fall Time:2.4 ns
Rise Time:2.6 ns
Tradename:OptiMOS
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TDSON-8
Part # Aliases:BSC090N03LS G SP000275115
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:18 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Power Dissipation (Pd)2.5W;32W
Особенности-
Pd - Power Dissipation:32 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)18nC@10V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:3.1 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)1.5nF@15V
Typical Turn-Off Delay Time:14 ns
Continuous Drain Current (Id)13A;48A
Id - Continuous Drain Current:48 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:28 S
Rds On - Drain-Source Resistance:7.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А13
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт32
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±16В

Техническая документация