Моя заявка (0)

BSC0906NSATMA1, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 63 A, 0.0038 ohm, TDSON, Surface Mount

BSC0906NSATMA1, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 63 A, 0.0038 ohm, TDSON, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8855508265
Артикул
BSC0906NSATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Case
PG-TDSON-8
Mounting
SMD
Pin Count
8
Technology
OptiMOS™
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon оснащен МОП-транзистором, который оптимизирован для высокопроизводительного понижающего преобразователя, оптимизирован для чистого переключения и превосxодной термостойкости.

Технические параметры

CasePG-TDSON-8
MountingSMD
Pin Count8
TechnologyOptiMOS™
Вес, г0.5
Channel TypeN
ManufacturerINFINEON TECHNOLOGIES
Package TypeSuperSO8 5x6
Polarisationunipolar
Drain current53A
Mounting TypeSurface Mount
Kind of channelenhanced
Power dissipation30W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураN-Channel
Gate-source voltage±20V
On-state resistance4.5mΩ
Drain-source voltage30V
Особенности-
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Continuous Drain Current63 A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А63
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±16В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0038 Ом

Техническая документация