Моя заявка (0)

BSC0904NSIATMA1, Транзистор N-МОП, полевой, 30В, 66А, 37Вт, PG-TDSON-8, OptiMOS™

BSC0904NSIATMA1, Транзистор N-МОП, полевой, 30В, 66А, 37Вт, PG-TDSON-8, OptiMOS™

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070086271
Артикул
BSC0904NSIATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Military
No
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
8
Automotive
No
Цена по запросу
(от 68,42 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon оснащен МОП-транзистором OptiMOS power MOSFET, встроенным монолитным диодом Шоттки и оптимизированным для высокопроизводительного понижающего преобразователя.

Технические параметры

MilitaryNo
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Вес, г0.5
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSuperSO8 5x6
Mounting TypeSurface Mount
Supplier PackageTDSON EP
Process TechnologyOptiMOS
Standard Package NameSON
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage30 V
Operating Temperature - (??C)-55~150
Maximum Continuous Drain Current78 A
Maximum Power Dissipation - (mW)2500
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)17
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)8.5@4.5VI17@10V
Maximum Gate Source Voltage - (V)??20
Maximum Drain Source Voltage - (V)30
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)2
Maximum Continuous Drain Current - (A)20
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)1100@15V
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)3.7@10V

Техническая документация