Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET, 78 A, 30 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC0904NSIATMA1

N-Channel MOSFET, 78 A, 30 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC0904NSIATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014773878
Артикул
BSC0904NSIATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Military
No
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
8
Automotive
No
Цена по запросу
(от 165,23 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon оснащен МОП-транзистором OptiMOS power MOSFET, встроенным монолитным диодом Шоттки и оптимизированным для высокопроизводительного понижающего преобразователя.

Технические параметры

MilitaryNo
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSuperSO8 5x6
Mounting TypeSurface Mount
Supplier PackageTDSON EP
Process TechnologyOptiMOS
СтруктураN-Channel
Standard Package NameSON
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage30 V
Operating Temperature - (??C)-55~150
Maximum Continuous Drain Current78 A
Maximum Power Dissipation - (mW)2500
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)17
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)8.5@4.5VI17@10V
Maximum Gate Source Voltage - (V)??20
Maximum Drain Source Voltage - (V)30
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)2
Maximum Continuous Drain Current - (A)20
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)1100@15V
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)3.7@10V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А78
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±16В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0031 Ом

Техническая документация