Моя заявка (0)

BSC0901NSIATMA1, Транзистор N-МОП, полевой, 30В, 100А, 69Вт, PG-TDSON-8

BSC0901NSIATMA1, Транзистор N-МОП, полевой, 30В, 100А, 69Вт, PG-TDSON-8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017536960
Артикул
BSC0901NSIATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
0.17
Цена по запросу
(от 102,16 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 30 В, 28 А (Ta), 100 А (Tc), 2,5 Вт (Ta), 69 Вт (Tc) для поверxностного монтажа PG-TDSON-8-6

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.17
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
СтруктураN-МОП
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2mOhm @ 30A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)2.5W(Ta), 69W(Tc)
Supplier Device PackagePG-TDSON-8-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2600 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C28A(Ta), 100A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт69
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация