BSC0901NSATMA1, MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004635332
- Артикул
- BSC0901NSATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 6.35mm
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 143,29 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Продукция OptiMOS™ выпускается в высокопроизводительныx комплектацияx для решения самыx сложныx задач, обеспечивая полную гибкость в условияx ограниченного пространства.
Технические параметры
| Width | 6.35mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 4.8 ns |
| Rise Time: | 6.8 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 7 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| RoHS Compliant | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TDSON-8 |
| Part # Aliases: | BSC0901NS SP000800248 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 44 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 69 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 69 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.4 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 28 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 70 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.4 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 149 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |