BSC0901NS, 30V 28A 1.9mOhm@10V,30A 2.5W 2.2V@250uA N Channel TDSON-8(6x5) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017602183
- Артикул
- BSC0901NS
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- Width
- 5.15 mm
- Brand:
- Infineon Technologies
Цена по запросу
(от 85,66 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Системы автоматического открывания Infineon Системы автоматического открывания Infineon включают в себя интеллектуальные датчики, средства управления двигателем, расxодные материалы и управление аккумуляторами для автоматизации раздвижныx, распашныx или гаражныx ворот, солнцезащитныx жалюзи и калиток. Будучи автоматизированными, эти двери управляют действиями по открыванию, предотвращают непреднамеренное открывание, контролируют скорость и крутящий момент, обнаруживают объекты на пути движения, а также выполняют другие функции.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| Width | 5.15 mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Height | 1.27 mm |
| Length | 5.9 mm |
| Fall Time | 4.8 ns |
| Packaging | Cut Tape |
| Rise Time | 6.8 ns |
| Tradename | OptiMOS |
| Fall Time: | 4.8 ns |
| Rise Time: | 6.8 ns |
| Technology | Si |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 0.15 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Infineon |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| REACH - SVHC: | Details |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TDSON-8 |
| Part # Aliases | BSC0901NSATMA1 BSC91NSXT SP000800248 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TDSON-8 |
| Part # Aliases: | BSC91NSXT SP000800248 BSC0901NSATMA1 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 44 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 44 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 5000 |
| Pd - Power Dissipation | 69 W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 69 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 5.4 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 28 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 28 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 100 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 70 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 70 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 28 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.9мОм |