Silicon N-Channel MOSFET Transistor, 44 A, 100 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC0803LSATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014579331
- Артикул
- BSC0803LSATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 7.6 nC
- V(DS)
- 100 V
- P(tot)
- 52 W
- Package
- SuperSO8
Цена по запросу
(от 342,77 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой транзистор Infineon OptiMOSTM5 работает при напряжении 100 В и токе стока 4 А.Линейка устройств Infineon OptiMOSTM5 предназначена для использования с USB-PD и адаптерами.
Технические параметры
| Q(g) | 7.6 nC |
| V(DS) | 100 V |
| P(tot) | 52 W |
| Package | SuperSO8 |
| R(thJC) | 1.4 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | NO |
| Technology | OptiMOS 5 |
| Вес, г | 1 |
| Logic level | YES |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 12.2 mOhm |
| Fast bodydiode | YES |
| I(D)at Tc=25°C | 44 A |
| Power Dissipation | 52Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0146 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.0122Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 44 A |
| Линейка Продукции | OptiMOS 5 |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 44А |
| Рассеиваемая Мощность | 52Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.7В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PG-TDSON |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0122Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 44 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0122 Ом |