Моя заявка (0)

BSC076N06NS3GATMA1,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 0.0062 ohm, TDSON, Surface Mount

BSC076N06NS3GATMA1,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 0.0062 ohm, TDSON, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8464997234
Артикул
BSC076N06NS3GATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series:
OptiMOS 3
Fall Time:
5 ns
Rise Time:
40 ns
Цена по запросу
(от 135 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой транзистор Infineon OptiMOS 3 - это идеальный выбор для синxронного выпрямления в импульсныx источникаx питания, такиx как серверы, настольные компьютеры и зарядные устройства для планшетов.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Series:OptiMOS 3
Fall Time:5 ns
Rise Time:40 ns
Tradename:OptiMOS
Вес, г0.3
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypePG-TDSON-8
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TDSON-8
Part # Aliases:BSC076N06NS3 G SP000453656
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:37 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:69 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:15 ns
Maximum Drain Source Voltage60 V
Typical Turn-Off Delay Time:20 ns
Id - Continuous Drain Current:50 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:30 S
Maximum Continuous Drain Current180 A
Rds On - Drain-Source Resistance:7.6 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А50
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0062 Ом

Техническая документация