N-Channel MOSFET, 40 V BSC076N04NDATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030998712
- Артикул
- BSC076N04NDATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- BSC076N04
- Fall Time:
- 7 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 410 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon Power - это N-канальный МОП-транзистор мощностью 40 В. Этот МОП-транзистор оптимизирован для применения в приводаx и прошел 100-процентное лавинное тестирование.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | BSC076N04 |
| Fall Time: | 7 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 4 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TDSON-8 |
| Part # Aliases: | BSC076N04ND SP002594330 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 38 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 65 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Power Dissipation N Channel | 65Вт |
| Power Dissipation P Channel | 65Вт |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.6 mOhms |
| Линейка Продукции | OptiMOS-T2 Series |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 20А |
| Рассеиваемая Мощность | 65Вт |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.007Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.007Ом |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 20А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 20А |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 40В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 40В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.007Ом |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.007 Ом |