N-Channel MOSFET, 82 A, 100 V PG-WSON BSC070N10NS5SCATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030973504
- Артикул
- BSC070N10NS5SCATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 6 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 5 ns
Цена по запросу
(от 767,73 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Infineon OptiMOS 5 мощностью 100 В в корпусе SuperSO8 DSC обеспечивают все преимущества управления температурой, присущие решениям с двусторонним оxлаждением, и занимают стандартную для отрасли площадь.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 6 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-WSON |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SuperSO-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BSC070N10NS5SC SP005348852 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 100Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 38 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 83 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 24 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 38 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.006Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 82 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7 mOhms |
| Линейка Продукции | OptiMOS 5 |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.8 V |
| Непрерывный Ток Стока | 82А |
| Рассеиваемая Мощность | 100Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | WSON |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.006Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 82 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.006 Ом |