Моя заявка (0)

BSC070N10LS5ATMA1, 100V 7mOhm@40A,10V 2.3V@49uA N Channel 2700pF@50V 20nC@4.5V -55°C~+150°C@(Tj) TDSON-8-7 MOSFETs

BSC070N10LS5ATMA1, 100V 7mOhm@40A,10V 2.3V@49uA N Channel 2700pF@50V 20nC@4.5V -55°C~+150°C@(Tj) TDSON-8-7 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070149396
Артикул
BSC070N10LS5ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series:
BSC070N10
Pin Count
8
Fall Time:
5.3 ns
Цена по запросу
(от 460 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Зарядные устройства и адаптеры USB-C Infineon Technologies предлагает полупроводниковые приборы, изготовленные по индивидуальному заказу с учетом приоритетов клиентов - цена/производительность в сочетании со сверxвысокой плотностью энергопотребления. Ассортимент включает в себя всю линейку продуктов с интерфейсом USB-C, начиная от высоковольтныx выключателей питания и заканчивая ШИМ-контроллерами, контроллерами USB-C для подачи питания, а также устройствами защиты от электростатического разряда.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Series:BSC070N10
Pin Count8
Fall Time:5.3 ns
Rise Time:3.6 ns
Вес, г0.9
Technology:Si
Channel TypeN Channel
Package TypeTDSON
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TDSON-8
Part # Aliases:BSC070N10LS5 SP001861044
Transistor Type:1 N-Channel
Power Dissipation83Вт
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:20 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:83 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:6.5 ns
Maximum Drain Source Voltage100 V
Typical Turn-Off Delay Time:20 ns
Id - Continuous Drain Current:79 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:36 S
Drain Source On State Resistance0.006Ом
Maximum Continuous Drain Current79 A
Rds On - Drain-Source Resistance:7 mOhms
Линейка ПродукцииOptiMOS 5
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.3 V
Непрерывный Ток Стока79А
Рассеиваемая Мощность83Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs1.7В
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds100В
Стиль Корпуса ТранзистораTDSON
Максимальная Рабочая Температура150°C
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.006Ом

Техническая документация