Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025033671
Артикул
BSC067N06LS3G-HXY
Бренд
HXY MOSFET
Вес, г
0.15
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
108W
Особенности
-
Цена по запросу
(от 90,59 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.15
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)108W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)90nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)4.136nF@30V
Continuous Drain Current (Id)80A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)257pF@30V
Пороговое напряжение на затворе2.5V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт108
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)5.3mΩ@10V, 30A