BSC060P03NS3EGATMA1,Power MOSFET, P Channel, 30 V, 100 A, 0.0041 ohm, TDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8758814839
- Артикул
- BSC060P03NS3EGATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 5.35mm
- Series
- OptiMOS P
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.5
Цена по запросу
(от 190 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канальные МОП-транзисторы Infineon OptiMOS™ разработаны таким образом, чтобы обеспечить расширенные возможности и высокое качество исполнения.
Технические параметры
| Width | 5.35mm |
| Series | OptiMOS P |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | TDSON |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 83 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.9V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3.1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 9.6 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 83 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0041 Ом |