Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET TransIstor, 59 A, 40 V, 8-PIn SuperSO8 5 x 6 InfIneon BSC059N04LS6ATMA1

N-Channel MOSFET TransIstor, 59 A, 40 V, 8-PIn SuperSO8 5 x 6 InfIneon BSC059N04LS6ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063733570
Артикул
BSC059N04LS6ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Military
No
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
8
Automotive
No
Цена по запросу
(от 72 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Infineon has оптимизирован для синxронного применения, обладает очень низким сопротивлением включению и превосxодной термостойкостью.

Технические параметры

MilitaryNo
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeSuperSO8 5x6
Mounting TypeSurface Mount
Supplier PackageTDSON EP
Power Dissipation38Вт
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage40 V
Operating Temperature - (??C)-55~175
Drain Source On State Resistance0.0047Ом
Maximum Continuous Drain Current59 A
Maximum Power Dissipation - (mW)3000
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)9.4
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)4.6@4.5VI9.4@10V
Maximum Gate Source Voltage - (V)20
Линейка ПродукцииOptiMOS 6
Maximum Drain Source Voltage - (V)40
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Maximum Continuous Drain Current - (A)17
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)640@20V
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)5.9@10V
Непрерывный Ток Стока59А
Рассеиваемая Мощность38Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds40В
Стиль Корпуса ТранзистораTDSON
Максимальная Рабочая Температура175°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0047Ом

Техническая документация