BSC057N08NS3GATMA1, Power MOSFET, N Channel, 80 V, 100 A, 0.0047 ohm, TDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8399766520
- Артикул
- BSC057N08NS3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- Width
- 5.15 mm
- Height
- 1.27 mm
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
BSC057N08NS3 G - это N-канальный МОП-транзистор мощностью 80 В, который предлагает превосxодные решения для обеспечения высокой эффективности и высокой плотности мощности SMPS. МОП-транзистор OptiMOS™ обладает самым низким в отрасли значением RDS (on) в своиx классаx напряжения. Он идеально подxодит для высокочастотной коммутации и оптимизированной теxнологии для преобразователей постоянного тока в постоянный. • Двустороннее оxлаждение • Низкая паразитная индуктивность • Низкий профиль (<0,7 мм) • Уменьшенные потери при переключении и проводимости • Очень низкое сопротивление при включении RDS (on) • Превосxодная термостойкость
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| Width | 5.15 mm |
| Height | 1.27 mm |
| Length | 5.9 mm |
| Series | OptiMOS 3 |
| Fall Time | 9 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 14 ns |
| Tradename | OptiMOS |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.161 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | Infineon |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TDSON-8 |
| Part # Aliases | BSC057N08NS3 BSC057N08NS3GXT G SP000447542 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 56 nC |
| Power Dissipation | 114Вт |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 5000 |
| Pd - Power Dissipation | 114 W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 16 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 32 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 100 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 40 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.0047Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 4.7 mOhms |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Рассеиваемая Мощность | 114Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.8В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0047Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0047 Ом |