Моя заявка (0)

OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 81 A, 40 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC054N04NSGATMA1

OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 81 A, 40 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC054N04NSGATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014554060
Артикул
BSC054N04NSGATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
OptiMOS
FET Type
N-Channel
Pin Count
8
Vgs (Max)
±20V
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon OptiMOS™ 40V - это идеальный выбор для синxронного выпрямления в импульсныx источникаx питания (SMPS), которые используются в сервераx и настольныx компьютераx.

Технические параметры

SeriesOptiMOS
FET TypeN-Channel
Pin Count8
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSuperSO8 5x6
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-PowerTDFN
Power Dissipation57Вт
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 27µA
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.4mOhm @ 50A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)2.5W(Ta), 57W(Tc)
Supplier Device PackagePG-TDSON-8-5
Number of Elements per Chip1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 10 V
Maximum Drain Source Voltage40 V
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Drain Source Resistance0.0054 Ω
Drain Source On State Resistance0.0045Ом
Maximum Continuous Drain Current81 A
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2800 pF @ 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A(Ta), 81A(Tc)
Непрерывный Ток Стока81А
Рассеиваемая Мощность57Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds40В
Стиль Корпуса ТранзистораPG-TDSON
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0045Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А81
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0045 Ом

Техническая документация