BSC052N03LSATMA1, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 57 A, 0.0043 ohm, TDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8495499670
- Артикул
- BSC052N03LSATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 5.35mm
- Series
- OptiMOS
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Cut Tape(CT)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой BSC052N03LSATMA1 от INFINEON представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент для SMD монтажа. Этот транзистор обладает током стока 17 А, напряжением сток-исток 30 В и мощностью 28 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,0052 Ом, что обеспечивает высокую эффективность при минимальных потерях. Корпус PG-TDSON-8 гарантирует компактность и удобство в использовании. Идеален для широкого спектра областей применения, от бытовой электроники до промышленного оборудования. Код товара BSC052N03LSATMA1 подтверждает его уникальность и гарантирует соответствие мировым стандартам качества от INFINEON. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 17 Напряжение сток-исток, В 30 Мощность, Вт 28 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0052 Корпус PG-TDSON-8
Технические параметры
| Width | 5.35mm |
| Series | OptiMOS |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Pin Count | 8 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.153 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package Type | TDSON |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 30A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 28W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-6 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 28 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.2 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 57 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 770pF @ 15V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 17A(Ta), 57A(Tc) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 57 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0043 Ом |