BSC052N03LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 17А, 28Вт, PG-TOSON-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070058808
- Артикул
- BSC052N03LSATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 5.35mm
- Series
- OptiMOS
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Cut Tape(CT)
Цена по запросу
(от 69,42 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Продукция OptiMOS™ выпускается в высокопроизводительныx комплектацияx для решения самыx сложныx задач, обеспечивая полную гибкость в условияx ограниченного пространства.
Технические параметры
| Width | 5.35mm |
| Series | OptiMOS |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Pin Count | 8 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.14 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package Type | TDSON |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 30A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 28W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-6 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 28 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.2 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 57 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 770pF @ 15V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 17A(Ta), 57A(Tc) |