N-Channel MOSFET, 58 A, 25 V PG-TDSON-8-5 BSC050NE2LSATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030974601
- Артикул
- BSC050NE2LSATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Series
- OptiMOSв„ў ->
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 86 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка продуктов Infineon optimos 25V от Infineon устанавливает новые стандарты в области плотности мощности и энергоэффективности для дискретныx МОП-транзисторов и систем в комплекте.
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Series | OptiMOSв„ў -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-TDSON-8-5 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Base Product Number | BSC050 -> |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 30A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-5 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Maximum Continuous Drain Current | 58 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 12V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 39A (Ta), 58A (Tc) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 58 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0042 Ом |