BSC050NE2LS, Транзистор MOSFET TDFN8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017563337
- Артикул
- BSC050NE2LS
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon Technologies
- Fall Time
- 2 ns
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Rise Time
- 2.2 ns
Цена по запросу
(от 83,23 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Fall Time | 2 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Rise Time | 2.2 ns |
| Tradename | OptiMOS |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.15 |
| Длина | 5.9 mm |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Infineon |
| Product Type | MOSFET |
| Высота | 1.27 mm |
| Ширина | 5.15 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TDSON-8 |
| Part # Aliases | BSC050NE2LSATMA1 BSC5NE2LSXT SP000756340 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 10.4 nC |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 5000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 2 ns |
| Pd - Power Dissipation | 28 W |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 2.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 11.4 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TDSON-8 |
| Id - Continuous Drain Current | 58 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Forward Transconductance - Min | 38 S |
| Qg - заряд затвора | 10.4 nC |
| Время нарастания | 2.2 ns |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5 mOhms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 25 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 28 W |
| Другие названия товара № | BSC050NE2LSATMA1 BSC5NE2LSXT SP000756340 |
| Id - непрерывный ток утечки | 58 A |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 11.4 ns |
| Типичное время задержки при включении | 2.5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 38 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 28 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |