Моя заявка (0)
BSC050N10NS5ATMA1, MOSFETs IFX FET 80 - 100V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006233686
Артикул
BSC050N10NS5ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
8
Вес, г
0.57
Channel Type
N
Package Type
SuperSO8 5x6
Цена по запросу
(от 246,90 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор TRENCH >=100V

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г0.57
Channel TypeN
Package TypeSuperSO8 5x6
Mounting TypeSurface Mount
Упаковка:Cut Tape, Reel
СтруктураMOSFET
Технология:Si
Вид монтажа:SMD/SMT
Время спада:7 ns
Особенности-
Тип продукта:MOSFET
Подкатегория:MOSFETs
Number of Elements per Chip1
Производитель:Infineon
Maximum Drain Source Voltage100 V
Торговая марка:Infineon Technologies
Упаковка / блок:TDSON-8
Канальный режим:Enhancement
Тип транзистора:1 N-Channel
Qg - заряд затвора:61 nC
Maximum Continuous Drain Current114 A
Время нарастания:9 ns
Категория продукта:МОП-транзистор
Количество каналов:1 Channel
Полярность транзистора:N-Channel
Pd - рассеивание мощности:136 W
Другие названия товара №:BSC050N10NS5 SP001861032
Id - непрерывный ток утечки:100 A
Размер фабричной упаковки:5000
Vgs - напряжение затвор-исток:- 20 V, + 20 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток:100 V
Минимальная рабочая температура:- 55 C
Максимальная рабочая температура:+ 175 C
Типичное время задержки выключения:19 ns
Типичное время задержки при включении:10 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :3.8 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:50 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация