Моя заявка (0)

OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 85 A, 40 V, 8-Pin TDSON BSC050N04LSGATMA1

OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 85 A, 40 V, 8-Pin TDSON BSC050N04LSGATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8016459688
Артикул
BSC050N04LSGATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
6.35mm
Series
BSC050N04LS G
Pin Count
8
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой N-MOSFET BSC050N04LSGATMA1 от производителя INFINEON отличается высокими характеристиками для эффективного использования в различных областях применения. Предназначен для монтажа на поверхность (SMD), данный компонент обеспечивает ток стока до 71А при напряжении сток-исток 40В и мощности 57Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,005 Ом, что гарантирует высокую эффективность. Компактный корпус PG-TDSON-8 облегчает интеграцию в современные электронные устройства. Модель BSC050N04LSGATMA1 представляет собой идеальное решение для разработчиков, ищущих надежные и мощные компоненты. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 71 Напряжение сток-исток, В 40 Мощность, Вт 57 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.005 Корпус PG-TDSON-8

Технические параметры

Width6.35mm
SeriesBSC050N04LS G
Pin Count8
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTDSON
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Forward Diode Voltage1.2V
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation57 W
Typical Gate Charge @ Vgs36 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage40 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage2V
Minimum Gate Threshold Voltage1.2V
Maximum Drain Source Resistance7.2 mΩ
Maximum Continuous Drain Current85 A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А85
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0042 Ом

Техническая документация